硅片RCA清洗工艺中,氟化氢HF的氢钝化机理

线切割损伤层厚度可达10微米左右。

一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀

   0.5～1min以达到去除损伤层的效果,此时的

  腐蚀速率可达到6～10um/min 。

初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片被腐蚀过薄。

对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。

HF去除硅片表面氧化层：